IRFB33N15DPBF, Транзистор полевой N-канальный 150В 33А 3.8Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
250 руб.
от 20 шт. —
226 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 150В 33А 3.8Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Category | Discrete Semiconductor Products | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V | |
Family | FETs-Single | |
FET Feature | Standard | |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 90nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2020pF @ 25V | |
Mounting Type | Through Hole | |
Online Catalog | N-Channel Standard FETs | |
Other Names | *IRFB33N15DPBF | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Power - Max | 3.8W | |
Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 20A, 10V | |
Series | HEXFET® | |
Standard Package | 50 | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
Вес, г | 3.5 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов