IRFB38N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 44А [TO-220AB]

Артикул: IRFB38N20DPBF
Ном. номер: 9000012096
Производитель: International Rectifier
Фото 1/6 IRFB38N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 44А [TO-220AB]
Фото 2/6 IRFB38N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 44А [TO-220AB]Фото 3/6 IRFB38N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 44А [TO-220AB]Фото 4/6 IRFB38N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 44А [TO-220AB]Фото 5/6 IRFB38N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 44А [TO-220AB]Фото 6/6 IRFB38N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 44А [TO-220AB]
Есть в наличии более 70 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка завтра
67 руб. × = 67 руб.
от 25 шт. — 61 руб.
от 50 шт. — 56.65 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, International Rectifier
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
54
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

IRFB38N20DPBF Datasheet
pdf, 275 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB38N20DPBF
Datasheet IRFB38N20DPBF
Datasheet IRFB38N20DPBF
IRFB38N20DPBF / IRFS38N20DTRLP HEXFET Power MOSFET Data Sheet IRFB38N20DPBF
IRFB38N20DPbF, IRFS38N20DPbF, IRFSL38N20DPbF, HEXFET Power MOSFET IRFB38N20DPBF