Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFB38N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 44А ...

IRFB38N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 44А [TO-220AB]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

330 руб.

от 15 шт. — 282 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 330 руб.

Номенклатурный номер: 9000012096

Артикул: IRFB38N20DPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	44
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.054 Ом/26А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	320
Крутизна характеристики, S	17
Корпус	TO-220AB
Вес, г	2.5