IRFB4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 46А [TO-220AB]

Артикул: IRFB4229PBF
Ном. номер: 568315683
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFB4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 46А [TO-220AB]
Фото 2/4 IRFB4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 46А [TO-220AB]Фото 3/4 IRFB4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 46А [TO-220AB]Фото 4/4 IRFB4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 46А [TO-220AB]
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
150 руб. × = 150 руб.
от 5 шт. — 140 руб.
от 50 шт. — 135 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFB4229PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET designed for sustain, energy recovery and pass switch applications in plasma display panels. It utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area and low EPULSE rating. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and high repetitive peak current capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications.

• Advanced process technology
• Low Qg for fast response
• High repetitive peak current capability for reliable operation
• Short fall and rise times for fast switching
• Repetitive avalanche capability for robustness and reliability

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
38
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…5

Техническая документация

IRFB4229PBF Datasheet
pdf, 292 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB4229PBF
MOSFET N HEXFET PDP Sw. 250V 46A TO220AB IRFB4229PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов