IRFB4615PBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 150В, 35А, 144Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
490 руб.
от 3 шт. —
420 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 150В, 35А, 144Вт, TO220AB
Технические параметры
Base Product Number | IRFB4615 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 35A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 50V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 144W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 21A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HEXFETВ® -> |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
Brand: | Infineon/IR |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IRFB4615PBF SP001565882 |
Pd - Power Dissipation: | 144 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 26 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 32 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.032Ом |
Power Dissipation | 144Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
Непрерывный Ток Стока | 35А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 144Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.032Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Крутизна характеристики S,А/В | 35 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 5 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 39 |
Температура, С | -55…+175 |
FET Feature | - |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Вес, г | 2.69 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов