IRFB59N10DPBF, МОП-транзистор, N Канал, 59 А, 100 В, 0.025 Ом, 10 В, 5.5 В

Ном. номер: 8400421016
Артикул: IRFB59N10DPBF
Производитель: Infineon Technologies
160 руб.
606 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 121 руб.
от 100 шт. — 120 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 160 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

The IRFB59N10DPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Fully characterized avalanche voltage and current

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г
2

Дополнительная информация

Datasheet IRFB59N10DPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.