IRFB7434PBF, транзистор N канал 40В 195А 1.6мОм TO220AB StrongIRFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
от 30 шт. —
130 руб.
от 120 шт. —
114 руб.
от 210 шт. —
113.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
транзисторы полевые импортные
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 195 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 294 | |
| Корпус | to220ab | |
| Особенности | StrongIRFET | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 211 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3.9 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1.6 | |
| Температура, С | -55…+175 | |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 195A(Tc) | |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 294W(Tc) | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6mО© @ 100A,10V | |
| Transistor Polarity | N Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3.9V @ 250uA | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 317 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 195A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 324nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10820pF @ 25V | |
| Manufacturer | Infineon Technologies | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 294W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 100A, 10V | |
| Series | HEXFETВ®, StrongIRFETв(ў | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250ВµA | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet IRFB7434PBF
pdf, 493 КБ
irfb7434pbf
pdf, 265 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
