IRFB7545PBF, Транзистор, StrongIRFETс диодом, N-канал, 60В, 95А [TO-220AB]

Фото 2/4 IRFB7545PBF, Транзистор, StrongIRFETс диодом, N-канал, 60В, 95А [TO-220AB]Фото 3/4 IRFB7545PBF, Транзистор, StrongIRFETс диодом, N-канал, 60В, 95А [TO-220AB]Фото 4/4 IRFB7545PBF, Транзистор, StrongIRFETс диодом, N-канал, 60В, 95А [TO-220AB]
Фото 1/4 IRFB7545PBF, Транзистор, StrongIRFETс диодом, N-канал, 60В, 95А [TO-220AB]
247 шт. со склада г.Москва
Ожидается на склад г.Москва: 30 июня 2021 г. — 500 шт.
42 руб.
от 15 шт.34 руб.
от 150 шт.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 42 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000217609
Артикул: IRFB7545PBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

The IRFB7545PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 95
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0059 ом при 57a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Крутизна характеристики, S 90
Корпус to220ab
Особенности низковольтные mosfets для сильноточных применений
Вес, г 2.5

Техническая документация

irfb7545pbf Datasheet
pdf, 544 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB7545PBF
Datasheet IRFB7545PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах