IRFB9N65APBF, Транзистор, N-канал 650В 9.5А [TO-220AB]
![Фото 1/6 IRFB9N65APBF, Транзистор, N-канал 650В 9.5А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210394.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
от 15 шт. —
215 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
МОП-транзистор 650V N-CH HEXFET МОП-транзистор
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.5 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.93 Ом/5.1А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167 | |
| Крутизна характеристики, S | 3.9 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 153 КБ
Datasheet
pdf, 153 КБ
Datasheet IRFB9N65APBF
pdf, 297 КБ
IRFB9N65A Datasheet
pdf, 102 КБ
Datasheet IRFB9N65A
pdf, 174 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
