IRFD014PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 60В, 1.7А [HVMDIP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90 руб.
от 15 шт. —
73 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 90 руб.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В 1,7A 1,3Вт 0,2Ом DIP4 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.7 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 Ом/1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
Крутизна характеристики, S | 0.96 | |
Корпус | HVMDIP-4 | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2020 КБ
Datasheet
pdf, 1994 КБ
Datasheet IRFD014, SiHFD014
pdf, 2024 КБ
Datasheet IRFD014PBF
pdf, 863 КБ
irfd014pbf
pdf, 2101 КБ
Datasheet IRFD014
pdf, 863 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают