IRFD123PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP]
![Фото 1/5 IRFD123PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 руб.
от 15 шт. —
48 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 53 руб.
Описание
МОП-транзистор N-Chan 100V 1.3 Amp
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 Ом/0.78А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 | |
| Крутизна характеристики, S | 1 | |
| Корпус | HVMDIP-4 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1831 КБ
Datasheet IRFD123PBF
pdf, 929 КБ
Datasheet IRFD123PBF
pdf, 1834 КБ
IRFd123 datasheet
pdf, 266 КБ
Datasheet IRFD123, SiHFD123
pdf, 1835 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
