IRFD420PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 500В, 0.37А [HVMDIP]
![Фото 1/2 IRFD420PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 500В, 0.37А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
от 25 шт. —
174 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Описание
МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET HEXDI
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.48 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 Ом/0.22А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 | |
| Крутизна характеристики, S | 1.5 | |
| Корпус | HVMDIP-4 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet IRFD420PBF
pdf, 1230 КБ
IRFD420 Datasheet
pdf, 308 КБ
Datasheet IRFD420, SiHFD420
pdf, 1231 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
