IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]
![Фото 1/8 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
см. техническую документацию
![Фото 2/8 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/504/DOC003504341.jpg)
![Фото 3/8 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC004172141.jpg)
![Фото 4/8 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/375/DOC004375369.jpg)
![Фото 5/8 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/597/DOC006597905.jpg)
![Фото 6/8 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/240/DOC012240718.jpg)
![Фото 7/8 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/473/DOC013473656.jpg)
![Фото 8/8 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/455/DOC008455912.jpg)
Описание
IRFD9024PBF представляет собой силовой полевой МОП-транзистор с P-каналом на -60 В, силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® третьего поколения предоставляет разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства и низкого сопротивления в открытом состоянии. Пакет представляет собой корпус, который можно вставить в машину, который можно штабелировать в нескольких комбинациях по стандартным 0,1-дюймовым центрам штифтов. Двойной сток служит тепловой связью с монтажной поверхностью для уровней рассеиваемой мощности до 1 Вт.
• Динамический рейтинг dV / dt
• Рейтинг повторяющихся лавин
• Рабочая температура 175 ° C
• Простота параллельного подключения
• Простота требования к приводу
• Для автоматической вставки
• Конец штабелируемый
Технические параметры
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.6 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.28 Ом/0.96А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
Крутизна характеристики, S | 1.3 |
Корпус | HVMDIP-4 |
Пороговое напряжение на затворе | -4 |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.