IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]

Фото 2/5 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]Фото 3/5 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]Фото 4/5 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]Фото 5/5 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]
Фото 1/5 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]
563 шт. со склада г.Москва
50 руб.
от 15 шт.43 руб.
от 150 шт.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 50 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 168135423
Артикул: IRFD9024PBF
Производитель: Vishay

Описание

The IRFD9024PBF is a -60V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable

Технические параметры

Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.28 ом при-0.96a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики, S 1.3
Корпус hd-1
Пороговое напряжение на затворе -4
Вес, г 0.6

Техническая документация

IRFD9024 Datasheet
pdf, 178 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFD9024PBF
Datasheet IRFD9024PBF
Datasheet IRFD9024PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах