IRFD9110PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 0.7A [HVMDIP]

Фото 1/5 IRFD9110PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 0.7A [HVMDIP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
от 15 шт.103 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
Номенклатурный номер: 752705424
Артикул: IRFD9110PBF

Описание

The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.2 Ом/0.42А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики, S 0.6
Корпус HVMDIP-4
Пороговое напряжение на затворе -4
Вес, г 0.6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1639 КБ
IRFD9110 Datasheet
pdf, 173 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов