IRFD9110PBF, Транзистор, Pкан -100В -0.7A [HEXDIP]

Артикул: IRFD9110PBF
Ном. номер: 752705424
Производитель: Vishay
Фото 1/4 IRFD9110PBF, Транзистор, Pкан -100В -0.7A [HEXDIP]
Фото 2/4 IRFD9110PBF, Транзистор, Pкан -100В -0.7A [HEXDIP]Фото 3/4 IRFD9110PBF, Транзистор, Pкан -100В -0.7A [HEXDIP]Фото 4/4 IRFD9110PBF, Транзистор, Pкан -100В -0.7A [HEXDIP]
Есть в наличии 73 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
35 руб. × = 35 руб.
от 50 шт. — 30 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFD9110PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
1200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-4

Техническая документация

IRFD9110 Datasheet
pdf, 173 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFD9110PBF
Datasheet IRFD9110PBF