Мой регион: Россия

IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]

Ном. номер: 64236
Артикул: IRFD9120PBF
Производитель: Vishay
Фото 1/6 IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]
Фото 2/6 IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]Фото 3/6 IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]Фото 4/6 IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]Фото 5/6 IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]Фото 6/6 IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]
43 руб.
291 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 37 руб.
от 150 шт. — 35 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 43 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The IRFD9120PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-2…-4
Вес, г
0.6

Техническая документация

irfd9120pbf
pdf, 1771 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFD9120PBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.