IRFH5110TRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 63 А, 0.0103 Ом, PQFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
430 руб.
от 100 шт. —
323 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 880 руб.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Fall Time: | 6.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 63 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | PQFN-8 |
| Part # Aliases: | IRFH5110TRPBF SP001560340 |
| Pd - Power Dissipation: | 114 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 48 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.4 mOhms |
| Rise Time: | 9.6 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 257 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
