Мой регион: Россия

IRFH5210TRPBF, MOSFET HEXFET N-CH 100V 10A PQFN8

Ном. номер: 8000002223
PartNumber: IRFH5210TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
IRFH5210TRPBF, MOSFET HEXFET N-CH 100V 10A PQFN8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
160 руб.
11450 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 110 руб.
от 100 шт. — 78 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
160 руб. 2-3 недели, 3810 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 126 руб.
от 100 шт. — 91 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Тип корпуса
PQFN
Максимальное рассеяние мощности
104 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6
Прямая активная межэлектродная проводимость
66S
Высота
0.9мм
Размеры
5 x 6 x 0.9мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
5
Типичное время задержки включения
7.2 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
21 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
14,9 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
40 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2570 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.