IRFH5300TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 100А [PQFN-5x6] (=IRFH5300TR2PBF)

Фото 2/3 IRFH5300TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 100А [PQFN-5x6] (=IRFH5300TR2PBF)Фото 3/3 IRFH5300TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 100А [PQFN-5x6] (=IRFH5300TR2PBF)
Фото 1/3 IRFH5300TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 100А [PQFN-5x6] (=IRFH5300TR2PBF)
392 шт. со склада г.Москва
130 руб.
от 15 шт.118 руб.
от 150 шт.115 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000102763
Артикул: IRFH5300TRPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

International Rectifier представил линейку новых силовых HEXFET MOSFET транзисторов, имеющий одно из самых низких значений сопротивления канала в открытом состоянии. Новые силовые транзисторы изготовлены по последней кремниевой технологии и представлены в корпусе PQFN 5x6мм . Данные транзисторы оптимизированы для приложений типа ORing (активные силовые схемы ИЛИ) и электроприводов постоянного тока.

Новые силовые MOSFET транзисторы выполнены по принципиально новому методу корпусирования кристалла с применением медной клипсы. На поверхность кристалла помещается – «защелкивается» медная пластина – клипса, обеспечивая очень плотное прилегание к кристаллу – контакт, позволяющий получить сопротивление перехода кристалл – медная клипса менее чем 1 мОм.

Транзисторы на 25 В IRFH5250TRPbF и 30 В IRFH5300TRPbF предназначены для DC коммутации, например, O'Ring приложений или DC электроприводов, где требуется большая нагрузочная способность по току и высокая эффективность Транзисторы IRFH5250TRPBF на 25В наряду со сверхмалым сопротивлением открытого канала 1.15 мОм (макс.) имеют значение заряда затвора (Qg) 52 нК, а транзисторы IRFH5300TRPBF на 30В – соответственно 1.4 мОм и 50 нК.

В дополнении к отличным характеристикам теплоотвода использование данных транзисторов позволит сократить площадь платы и стоимость разработки, поскольку ранее для снижения потерь требовать использование нескольких компонентов.

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0014 ом при 50a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 250
Крутизна характеристики, S 190
Корпус pqfn 5x6 mm
Особенности мощный полевой
Пороговое напряжение на затворе 2.35
Вес, г 0.5

Техническая документация

IRFH5300PBF datasheet
pdf, 364 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFH5300TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах