IRFH5301TRPBF, Транзистор N-канал 30В 100А, (=IRFH5301TR2PBF), [PQFN-5x6]

Фото 2/4 IRFH5301TRPBF, Транзистор N-канал 30В 100А, (=IRFH5301TR2PBF), [PQFN-5x6]Фото 3/4 IRFH5301TRPBF, Транзистор N-канал 30В 100А, (=IRFH5301TR2PBF), [PQFN-5x6]Фото 4/4 IRFH5301TRPBF, Транзистор N-канал 30В 100А, (=IRFH5301TR2PBF), [PQFN-5x6]
Фото 1/4 IRFH5301TRPBF, Транзистор N-канал 30В 100А, (=IRFH5301TR2PBF), [PQFN-5x6]
269 шт. со склада г.Москва
67 руб.
от 15 шт.59 руб.
от 150 шт.57 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 67 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000102757
Артикул: IRFH5301TRPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

International Rectifier представил линейку новых силовых HEXFET MOSFET транзисторов, имеющий одно из самых низких значений сопротивления канала в открытом состоянии. Новые силовые транзисторы изготовлены по последней кремниевой технологии и представлены в корпусе PQFN 5x6мм . Данные транзисторы оптимизированы для приложений типа ORing (активные силовые схемы ИЛИ) и электроприводов постоянного тока.

Новые силовые MOSFET транзисторы выполнены по принципиально новому методу корпусирования кристалла с применением медной клипсы. На поверхность кристалла помещается – «защелкивается» медная пластина – клипса, обеспечивая очень плотное прилегание к кристаллу – контакт, позволяющий получить сопротивление перехода кристалл – медная клипса менее чем 1 мОм.

Транзисторы на 25 В IRFH5250TRPbF и 30 В IRFH5300TRPbF предназначены для DC коммутации, например, O'Ring приложений или DC электроприводов, где требуется большая нагрузочная способность по току и высокая эффективность Транзисторы IRFH5250TRPBF на 25В наряду со сверхмалым сопротивлением открытого канала 1.15 мОм (макс.) имеют значение заряда затвора (Qg) 52 нК, а транзисторы IRFH5300TRPBF на 30В – соответственно 1.4 мОм и 50 нК.

В дополнении к отличным характеристикам теплоотвода использование данных транзисторов позволит сократить площадь платы и стоимость разработки, поскольку ранее для снижения потерь требовать использование нескольких компонентов.

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.00185 ом при 50a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Крутизна характеристики, S 218
Корпус pqfn 5x6 mm
Особенности мощный полевой
Пороговое напряжение на затворе 2.35
Вес, г 0.5

Техническая документация

IRFH5301PBF datasheet
pdf, 327 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFH5301TRPBF
Datasheet IRFH5301TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах