Мой регион: Россия

IRFH5302DTRPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 30V 29

PartNumber: IRFH5302DTRPBF
Ном. номер: 8000002226
Производитель: Infineon Technologies
IRFH5302DTRPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 30V 29
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
180 руб.
1950 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 900 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Тип корпуса
PQFN
Максимальное рассеяние мощности
104 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5
Прямая активная межэлектродная проводимость
110s
Высота
0.85мм
Размеры
6 x 5 x 0.85мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6
Типичное время задержки включения
16 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
20 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35
Максимальное сопротивление сток-исток
3,7 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
55 нКл при 15 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3635 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.