Мой регион: Россия

IRFH5302TRPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 30V 32

PartNumber: IRFH5302TRPBF
Ном. номер: 8000002227
Производитель: Infineon Technologies
IRFH5302TRPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 30V 32
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
89 руб.
3500 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 58 руб.
от 500 шт. — 42 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
94 руб. 2-3 недели, 5240 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 84 руб.
от 100 шт. — 65 руб.
95 руб. 3-4 недели, 1019 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 82.10 руб.
от 25 шт. — 81.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Тип корпуса
PQFN
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5
Прямая активная межэлектродная проводимость
180с
Высота
0.85мм
Размеры
6 x 5 x 0.85мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6
Типичное время задержки включения
18 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
22 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35
Максимальное сопротивление сток-исток
3,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
76 нКл при 15 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4400 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.