IRFH7084TRPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 40А, PQFN5X6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
от 10 шт. —
210 руб.
от 30 шт. —
180 руб.
от 100 шт. —
154.19 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 40А, PQFN5X6 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | Infineon/IR |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Fall Time: | 34 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 120 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 265 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | PQFN-8 |
| Part # Aliases: | IRFH7084TRPBF SP001551936 |
| Pd - Power Dissipation: | 156 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 127 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 950 uOhms |
| Rise Time: | 31 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | StrongIRFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 64 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.9 V |
| Вес, г | 0.22 |
Техническая документация
Datasheet IRFH7084TRPBF
pdf, 1416 КБ
irfh7084pbf
pdf, 782 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
