Мой регион: Россия

IRFH7084TRPBF, MOSFET StrongIRFET N-Ch 4

PartNumber: IRFH7084TRPBF
Ном. номер: 8000002230
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRFH7084TRPBF, MOSFET StrongIRFET N-Ch 4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRFH7084TRPBF, MOSFET StrongIRFET N-Ch 4
230 руб.
4045 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 160 руб.
от 100 шт. — 118 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
173 руб. 3-4 недели, 3045 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 150 руб.
от 25 шт. — 149 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
265 A
Тип корпуса
PQFN
Максимальное рассеяние мощности
156 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5
Прямая активная межэлектродная проводимость
120s
Высота
0.85мм
Размеры
6 x 5 x 0.85мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6
Типичное время задержки включения
16 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
64 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Максимальное сопротивление сток-исток
1.25 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
127 нКл при 20 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
6560 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V

Техническая документация

irfh7084pbf
pdf, 782 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.