IRFH7446TRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Кратность заказа 4000 шт.
Добавить в корзину 4000 шт.
на сумму 520 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор 40V 85A 3.3mOhm 65nC StrongIRFET
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 117 A |
Pd - рассеивание мощности | 78 W |
Qg - заряд затвора | 98 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.3 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.9 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 37 ns |
Время спада | 26 ns |
Высота | 0.83 mm |
Длина | 6 mm |
Другие названия товара № | SP001577894 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 159 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 33 ns |
Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка / блок | PQFN-8 |
Ширина | 5 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 117 A |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | PQFN 5mm x 6mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов