IRFH7932TRPBF, Силовой МОП-транзистор, HEXFET®, N Канал, 30 В, 25 А, 0.0025 Ом, QFN, Surface Mount

Фото 2/3 IRFH7932TRPBF, Силовой МОП-транзистор, HEXFET®, N Канал, 30 В, 25 А, 0.0025 Ом, QFN, Surface MountФото 3/3 IRFH7932TRPBF, Силовой МОП-транзистор, HEXFET®, N Канал, 30 В, 25 А, 0.0025 Ом, QFN, Surface Mount
Фото 1/3 IRFH7932TRPBF, Силовой МОП-транзистор, HEXFET®, N Канал, 30 В, 25 А, 0.0025 Ом, QFN, Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3020 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели
190 руб.
от 10 шт.140 руб.
от 100 шт.104 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8069861573
Артикул: IRFH7932TRPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора QFN
Рассеиваемая Мощность 3.4Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока 25А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0025Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs 1.8В
Transistor Mounting Surface Mount
Id - непрерывный ток утечки 104 A
Pd - рассеивание мощности 3.4 W
Qg - заряд затвора 34 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.35 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 48 ns
Время спада 20 ns
Высота 1 mm
Длина 6 mm
Другие названия товара № SP001556482
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение StrongIRFET
Конфигурация Single Quad Drain Triple Source
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 59 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 4000
Технология Si
Тип HEXFET Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 23 ns
Типичное время задержки при включении 20 ns
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка / блок PQFN-8
Ширина 5 mm
Вес, г 0.1

Дополнительная информация

Datasheet IRFH7932TRPBF
Datasheet IRFH7932TRPBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах