Мой регион: Россия

IRFHM8329TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 16А [PQFN 3.3X3.3 8L]

Артикул: IRFHM8329TRPBF
Ном. номер: 9000158298
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRFHM8329TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 16А [PQFN 3.3X3.3 8L]
Фото 2/2 IRFHM8329TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 16А [PQFN 3.3X3.3 8L]
Спецпредложение
27 руб.
743 шт. со склада г.Москва
от 25 шт. — 21 руб.
от 250 шт. — 20 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
22 руб. 3-4 недели, 3200 шт. 1 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.<BR/>

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1.2…2.2

Техническая документация

irfhm8329pbf
pdf, 466 КБ
Datasheet IRFHM8329TRPBF
pdf, 593 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.