Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFHM8329TRPBF, Nкан 30В 25А 4.9мОм PQFN3.3x3.3

Артикул: IRFHM8329TRPBF
Ном. номер: 9000158298
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRFHM8329TRPBF, Nкан 30В 25А 4.9мОм PQFN3.3x3.3
Фото 2/3 IRFHM8329TRPBF, Nкан 30В 25А 4.9мОм PQFN3.3x3.3Фото 3/3 IRFHM8329TRPBF, Nкан 30В 25А 4.9мОм PQFN3.3x3.3
Спецпредложение
Есть в наличии более 10 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
12 × = 12
Цена и наличие в магазинах

Описание

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, International Rectifier
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
8.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1.2…2.2

Техническая документация

irfhm8329pbf
pdf, 466 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFHM8329TRPBF
IRFHM8329PbF N-channel HEXFET Power MOSFET IRFHM8329TRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов