IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF)

Фото 2/2 IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF)
Фото 1/2 IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF)
Ном. номер: 9000139698
Артикул: IRFHM8363TRPBF
Производитель: International Rectifier
58 руб.
140 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 54 руб.
от 150 шт. — по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 58 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Описание

The IRFHM8363TRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for power stage for high frequency buck converters, battery protection charge and discharge switch applications.

• Low thermal resistance to PCB (<6.7°C/W)
• Low profile
• Industry-standard pin-out
• Compatible with existing surface-mount techniques
• Halogen-free

Технические параметры

Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0149 ом при 10a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.7
Крутизна характеристики, S 20
Корпус pqfn 3.3x3.3 mm
Пороговое напряжение на затворе 1.35…2.35
Вес, г 0.43

Техническая документация

irfhm8363pbf
pdf, 235 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFHM8363TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах