IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF)
![IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF)](https://static.chipdip.ru/lib/994/DOC003994466.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
от 15 шт. —
167 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Технические параметры
| Структура | 2N-канала | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0149 Ом/10А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.7 | |
| Крутизна характеристики, S | 20 | |
| Корпус | PQFN-8(3.3X3.3) | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 | |
| Вес, г | 0.43 |
Техническая документация
Datasheet IRFHM8363
pdf, 235 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
