IRFI1010NPBF, МОП-транзистор, N Канал, 49 А, 55 В, 0.012 Ом, 10 В, 4 В

PartNumber: IRFI1010NPBF
Ном. номер: 8119606308
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFI1010NPBF, МОП-транзистор, N Канал, 49 А, 55 В, 0.012 Ом, 10 В, 4 В
Фото 2/3 IRFI1010NPBF, МОП-транзистор, N Канал, 49 А, 55 В, 0.012 Ом, 10 В, 4 ВФото 3/3 IRFI1010NPBF, МОП-транзистор, N Канал, 49 А, 55 В, 0.012 Ом, 10 В, 4 В
Доступно на заказ 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
190 руб. × = 190 руб.
от 10 шт. — 163 руб.
от 100 шт. — 127 руб.

Описание

N-Channel Power MOSFET 40A to 49A, International Rectifier
International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Линия Продукции
HEXFET Series
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220FP
Рассеиваемая Мощность
58Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
55В
Непрерывный Ток Стока
49А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.012Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Техническая документация

IRFI1010N Datasheet
pdf, 114 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFI1010NPBF
IRFI1010NPBF Data Sheet