Мой регион: Россия

IRFI4212H-117P

Ном. номер: 8175863387
PartNumber: IRFI4212H-117P
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRFI4212H-117P
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRFI4212H-117P
120 руб.
860 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 110 руб.
от 100 шт. — 88 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
60.90 руб. 3-4 недели, 850 шт. 50 шт. 100 шт.
от 400 шт. — 60.30 руб.
от 800 шт. — 58.70 руб.
167 руб. 3-4 недели, 899 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 137 руб.
от 25 шт. — 133 руб.
130 руб. 2-3 недели, 404 шт. 2 шт. 2 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11 А
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
18 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
9.02мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 9.02мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
2
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Серия
Типичное время задержки включения
4,7 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
9.5 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
73 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
5
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
490 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Техническая документация

IRFI4212H-117P datasheet
pdf, 278 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.