IRFIBC40GPBF, Транзистор полевой N-канальный 600В 3.5А 40Вт, 1.2 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 9 шт. —
91 руб.
от 18 шт. —
80 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 485 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Описание Транзистор полевой IRFIBC40GPBF от VISHAY – это надежный компонент для монтажа THT с высоким напряжением сток-исток в 600 В, который способен обеспечить ток стока до 2,1 А. С мощностью 40 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 1,2 Ом, этот N-MOSFET является отличным выбором для различных электронных применений. Корпус TO220 обеспечивает удобство монтажа и достаточное теплоотведение. Модель IRFIBC40GPBF - оптимальный выбор для устройств, требующих высокой надежности и эффективности. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 2.1 |
Напряжение сток-исток, В | 600 |
Мощность, Вт | 40 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 1.2 |
Корпус | TO220 |
Технические параметры
Корпус | TO-220F | |
Id - непрерывный ток утечки | 3.5 A | |
Pd - рассеивание мощности | 40 W | |
Qg - заряд затвора | 60 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Высота | 15.49 mm | |
Длина | 10.41 mm | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 50 | |
Серия | IRFIBC | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220-3 | |
Ширина | 4.7 mm | |
Base Product Number | IRFIBC40 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.5A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.1A, 10V | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | TO-220-3 | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet IRFIBC40GPBF
pdf, 824 КБ
Datasheet IRFIBC40GPBF
pdf, 1446 КБ
IRFIBC40G Datasheet
pdf, 170 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов