IRFIBC40GPBF, Транзистор полевой N-канальный 600В 3.5А 40Вт, 1.2 Ом

Фото 1/4 IRFIBC40GPBF, Транзистор полевой N-канальный 600В 3.5А 40Вт, 1.2 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
97 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 9 шт.91 руб.
от 18 шт.80 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 485 руб.
Номенклатурный номер: 8548447455
Артикул: IRFIBC40GPBF

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Описание Транзистор полевой IRFIBC40GPBF от VISHAY – это надежный компонент для монтажа THT с высоким напряжением сток-исток в 600 В, который способен обеспечить ток стока до 2,1 А. С мощностью 40 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 1,2 Ом, этот N-MOSFET является отличным выбором для различных электронных применений. Корпус TO220 обеспечивает удобство монтажа и достаточное теплоотведение. Модель IRFIBC40GPBF - оптимальный выбор для устройств, требующих высокой надежности и эффективности. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж THT
Ток стока, А 2.1
Напряжение сток-исток, В 600
Мощность, Вт 40
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 1.2
Корпус TO220

Технические параметры

Корпус TO-220F
Id - непрерывный ток утечки 3.5 A
Pd - рассеивание мощности 40 W
Qg - заряд затвора 60 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.49 mm
Длина 10.41 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Серия IRFIBC
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.7 mm
Base Product Number IRFIBC40 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 3.5

Техническая документация

Datasheet IRFIBC40GPBF
pdf, 824 КБ
Datasheet IRFIBC40GPBF
pdf, 1446 КБ
IRFIBC40G Datasheet
pdf, 170 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов