IRFIBE30GPBF, Транзистор полевой N-канальный 800В 2.1A

Фото 1/3 IRFIBE30GPBF, Транзистор полевой N-канальный 800В 2.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 13 шт.110 руб.
от 25 шт.104 руб.
от 50 шт.99 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 520 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8009330250
Артикул: IRFIBE30GPBF

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 800В 2.1A

Технические параметры

Корпус TO-220F
Категория продукта МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 50
Серия IRFIBE
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Base Product Number IRFIBE30 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 2.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.3A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
FET Feature -
Manufacturer Vishay Siliconix
Packaging Tube
Part Status Active
Series -
Вес, г 0.454

Техническая документация

Datasheet IRFIBE30GPBF
pdf, 751 КБ
Datasheet IRFIBE30GPBF
pdf, 1400 КБ
IRFIBE30G
pdf, 1401 КБ
Документация
pdf, 1399 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов