IRFML8244TRPBF, Транзистор, N-канал 25В 5.8А [SOT-23]
![Фото 1/5 IRFML8244TRPBF, Транзистор, N-канал 25В 5.8А [SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
55 руб.
от 100 шт. —
51 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 55 руб.
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.8 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.024 Ом/5.8А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 | |
| Крутизна характеристики, S | 10 | |
| Корпус | Micro-3/SOT-23-3 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
