IRFP150MPBF, N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC

Фото 2/2 IRFP150MPBF, N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC
Фото 1/2 IRFP150MPBF, N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
920 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
150 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 100 шт.99 руб.
от 200 шт.93 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 3 000 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8857601922
Артикул: IRFP150MPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Semiconductors
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 42 А
Тип корпуса TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности 160 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.2мм
Высота 21.1мм
Размеры 16.13 x 5.2 x 21.1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 16.13мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 11 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 45 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 36 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 110 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1900 pF @ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Maximum Operating Temperature +175 °C
Количество элементов на ИС 1
Length 16.13mm
Transistor Configuration Одинарный
Brand Infineon
Maximum Continuous Drain Current 42 A
Package Type TO-247AC
Maximum Power Dissipation 160 Вт
Series HEXFET
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Width 5.2мм
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Высота 21.1мм
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Drain Source Resistance 36 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 100 В
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 110 нКл при 10 В
Transistor Material Кремний
Channel Mode Поднятие
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Base Product Number IRFP150 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 23A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA

Дополнительная информация

Datasheet IRFP150MPBF
Datasheet IRFP150MPBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах