IRFP150PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 29А, 230Вт, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
400 руб.
от 5 шт. —
360 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 29А, 230Вт, TO247AC Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 41 A |
| Pd - рассеивание мощности | 230 W |
| Qg - заряд затвора | 140 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 55 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 120 ns |
| Время спада | 81 ns |
| Высота | 20.82 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | IRFP |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.31 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 41 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 55 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Width | 5.31mm |
| Вес, г | 4.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1475 КБ
Datasheet
pdf, 1447 КБ
Datasheet IRFP150PBF
pdf, 1488 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
