IRFP250MPBF, N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
215 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
180 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
119 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 900 руб.
Посмотреть альтернативные предложения4
Описание
Semiconductors
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, InfineonInfineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 30 A |
| Тип корпуса | TO-247AC |
| Максимальное рассеяние мощности | 214 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 5.2мм |
| Высота | 21.1мм |
| Размеры | 16.13 x 5.2 x 21.1мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 16.13мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 14 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 41 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 75 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 123 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 2159 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 30 A |
| Тип корпуса | TO-247AC |
| Maximum Power Dissipation | 214 Вт |
| Mounting Type | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 5.2мм |
| Height | 21.1мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 16.13мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | Infineon |
| Series | HEXFET |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| Число контактов | 3 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 123 нКл при 10 В |
| Channel Mode | Поднятие |
| Тип канала | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 В, +20 В |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Pd - рассеивание мощности | 214 W |
| Qg - заряд затвора | 82 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 75 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 43 ns |
| Время спада | 33 ns |
| Высота | 20.7 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Другие названия товара № | SP001566168 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 17 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.31 mm |
| Base Product Number | IRFP250 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2159pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 18A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Дополнительная информация
Datasheet IRFP250MPBF
Datasheet IRFP250MPBF
Datasheet IRFP250MPBF
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
