IRFP250MPBF, HEXFET N-CH MOSFET 30A 200V TO-247AC
Ном. номер: 8276696544
PartNumber: IRFP250MPBF
Производитель: Infineon Technologies
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
|
180 руб.
|
360 шт. со склада г.Москва, срок 1-2 недели |
|
|
от 25 шт. — 140 руб.
от 100 шт. — 109 руб.
Кратность заказа 5 шт.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 57 руб. | 196 шт. | 1 шт. | 66 шт. | |
|
от 100 шт. — 55.30 руб.
|
||||
| 131 руб. | 3-4 недели, 2380 шт. | 1 шт. | 1 шт. | |
|
от 10 шт. — 117 руб.
от 100 шт. — 105 руб.
|
||||
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Semiconductors
Технические параметры
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности
214 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.2мм
Высота
21.1мм
Размеры
16.13 x 5.2 x 21.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
41 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
123 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2159 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.