IRFP250MPBF, N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC

Фото 2/3 IRFP250MPBF, N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V, 3-Pin TO-247ACФото 3/3 IRFP250MPBF, N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC
Фото 1/3 IRFP250MPBF, N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
215 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
180 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт.150 руб.
от 100 шт.119 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 900 руб.
Посмотреть альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8276696544
Артикул: IRFP250MPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Semiconductors
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 30 A
Тип корпуса TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности 214 W
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.2мм
Высота 21.1мм
Размеры 16.13 x 5.2 x 21.1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 16.13мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 14 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 41 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 75 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 200 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 123 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2159 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Maximum Operating Temperature +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 30 A
Тип корпуса TO-247AC
Maximum Power Dissipation 214 Вт
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.2мм
Height 21.1мм
Материал транзистора Кремний
Number of Elements per Chip 1
Length 16.13мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand Infineon
Series HEXFET
Minimum Operating Temperature -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Drain Source Resistance 75 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 200 В
Число контактов 3
Типичный заряд затвора при Vgs 123 нКл при 10 В
Channel Mode Поднятие
Тип канала N
Maximum Gate Source Voltage -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 30 A
Pd - рассеивание мощности 214 W
Qg - заряд затвора 82 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 75 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 43 ns
Время спада 33 ns
Высота 20.7 mm
Длина 15.87 mm
Другие названия товара № SP001566168
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 17 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 400
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 41 ns
Типичное время задержки при включении 14 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.31 mm
Base Product Number IRFP250 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2159pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 18A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA

Дополнительная информация

Datasheet IRFP250MPBF
Datasheet IRFP250MPBF
Datasheet IRFP250MPBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах