Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFP250M

IRFP250M

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

520 руб.

от 2 шт. — 420 руб.

от 5 шт. — 343 руб.

от 10 шт. — 315 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 520 руб.

Номенклатурный номер: 8009158010

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор полевой IRFP250MPBF от производителя INFINEON – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия печатной платы (THT). Этот транзистор отличается током стока до 30 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 200 В, обеспечивая при этом мощность до 214 Вт. Устройство выпускается в надежном корпусе TO247AC, что обеспечивает его долговечность и стабильность работы в различных электронных схемах. Модель IRFP250MPBF подходит для широкого спектра применений, включая источники питания, светодиодное освещение и преобразователи частоты. Используя слитную запись кода товара в виде IRFP250MPBF, можно легко найти всю необходимую информацию и документацию на сайте производителя или в нашем каталоге. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	30
Напряжение сток-исток, В	200
Мощность, Вт	214
Корпус	TO247AC

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	30A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	123nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2159pF @ 25V
Manufacturer	Infineon Technologies
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	214W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75mOhm @ 18A, 10V
Series	HEXFETВ®
Supplier Device Package	TO-247AC
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Base Product Number	IRFP250 ->
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Package	Tube
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	30 A
Maximum Drain Source Resistance	75 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	214 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	123 nC @ 10 V
Width	5.2mm
Brand:	Infineon Technologies
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	400
Fall Time:	33 ns
Forward Transconductance - Min:	17 S
Id - Continuous Drain Current:	30 A
Manufacturer:	Infineon
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	214 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	82 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	75 mOhms
Rise Time:	43 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	41 ns
Typical Turn-On Delay Time:	14 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Вес, г	7.5