IRFP250NPBF, Транзистор, N-канал 200В 30А [TO-247AC]

Артикул: IRFP250NPBF
Ном. номер: 444051579
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFP250NPBF, Транзистор, N-канал 200В 30А [TO-247AC]
Фото 2/4 IRFP250NPBF, Транзистор, N-канал 200В 30А [TO-247AC]Фото 3/4 IRFP250NPBF, Транзистор, N-канал 200В 30А [TO-247AC]Фото 4/4 IRFP250NPBF, Транзистор, N-канал 200В 30А [TO-247AC]
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
58 руб. × = 464 руб.
Количество товаров должно быть кратно 8 шт.
от 25 шт. — 52 руб.
от 250 шт. — 50 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFP250NPBF from International Rectifier is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, ease of Paralleling, rugged, fast switching, simple drive requirements and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.

• Drain to source voltage (Vds) of 200V
• Gate to source voltage of ±20V
• On resistance Rds(on) of 75mohm at Vgs 10V
• Power dissipation Pd of 214W at 25°C
• Continuous drain current Id of 30A at Vgs 10V and 25°C
• Operating junction temperature range from -55°C to 175°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
75
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Техническая документация

IRFP250N Datasheet
pdf, 180 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFP250NPBF
Datasheet IRFP250NPBF
Datasheet IRFP250NPBF