Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFP3006PBF, Транзистор полевой N-канальный ...

IRFP3006PBF, Транзистор полевой N-канальный 60В 257A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

700 руб.

от 5 шт. — 580 руб.

от 9 шт. — 539 руб.

от 18 шт. — 508 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 700 руб.

Номенклатурный номер: 8007385729

Артикул: IRFP3006PBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 60В 257A

Технические параметры

Корпус	TO-247AC
Id - непрерывный ток утечки	195 A
Pd - рассеивание мощности	375 W
Qg - заряд затвора	300 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	182 ns
Время спада	189 ns
Высота	20.7 mm
Длина	15.87 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	280 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	400
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	118 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns
Торговая марка	Infineon / IR
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Ширина	5.31 mm
Base Product Number	IRFP3006 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8970pF @ 50V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-3
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 170A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-247AC
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Material	Si
Maximum Continuous Drain Current (A)	270
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)	2.5 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	4
Maximum IDSS (uA)	20
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	375000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	HEXFET
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-247
Supplier Package	TO-247AC
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	189
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	200
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	200 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	8970 50V
Typical Rise Time (ns)	182
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	118
Typical Turn-On Delay Time (ns)	16
Вес, г	7.5