IRFP4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 44А [TO-247AC]

Артикул: IRFP4229PBF
Ном. номер: 9050000750
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFP4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 44А [TO-247AC]
Фото 2/4 IRFP4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 44А [TO-247AC]Фото 3/4 IRFP4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 44А [TO-247AC]Фото 4/4 IRFP4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 44А [TO-247AC]
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
150 руб. × = 150 руб.
от 25 шт. — 130 руб.
от 150 шт. — 103.79 руб. (3 рабочих дня)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFP4229PBF is a HEXFET® single N-channel PDP switch Power MOSFET specifically designed for sustain, energy recovery and pass switch applications in plasma display panels. It utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area and low EPULSE rating. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and high repetitive peak current capability. It combines to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications.

• Advanced process technology
• Low EPULSE rating to reduce power dissipation
• Low Qg for fast response
• High repetitive peak current capability for reliable operation
• Short fall and rise times for fast switching
• Repetitive avalanche capability for robustness and reliability

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
38
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
мощный полевой
Пороговое напряжение на затворе
5

Техническая документация

IRFP4229PBF datasheet
pdf, 321 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFP4229PBF
Datasheet IRFP4229PBF