Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]

Артикул: IRFP4668PBF
Ном. номер: 9000087117
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]
Фото 2/4 IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]Фото 3/4 IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]Фото 4/4 IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
220 × = 220
от 5 шт. — 200 руб.
от 50 шт. — 190 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, International Rectifier

Motor Control MOSFET

International Rectifier offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.

Synchronous Rectifier MOSFET

A portfolio of synchronous rectification MOSFET devices for AC-DC power supplies supports the customer demands for higher power density, smaller size, more portability and more flexible systems.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
9.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…5

Техническая документация

IRFP4668PBF Datasheet
pdf, 287 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFP4668PBF
Datasheet IRFP4668PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов