IRFP4768PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 93А, 520Вт, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 900 руб.
от 15 шт. —
1 200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 900 руб.
Описание
Infineon offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 93 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0175 Ом/0.056А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 520 | |
| Крутизна характеристики, S | 100 | |
| Корпус | TO-247AC | |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFP4768PBF
pdf, 329 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
