IRFP7537PBF, МОП-транзистор, N Канал, 172 А, 60 В, 0.00275 Ом, 10 В, 3.7 В

Ном. номер: 8126148902
Артикул: IRFP7537PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFP7537PBF, МОП-транзистор, N Канал, 172 А, 60 В, 0.00275 Ом, 10 В, 3.7 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFP7537PBF, МОП-транзистор, N Канал, 172 А, 60 В, 0.00275 Ом, 10 В, 3.7 ВФото 3/3 IRFP7537PBF, МОП-транзистор, N Канал, 172 А, 60 В, 0.00275 Ом, 10 В, 3.7 В
390 руб.
20 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 288 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
310 руб. 5-10 дней, 163 шт. 1 шт. 1 шт.
178 руб. 3-4 недели, 355 шт. 1 шт. 46 шт.
200 руб. 8 дней, 204 шт. 2 шт. 20 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

The IRFP7537PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
172 A
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
230 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.31мм
Высота
20.7мм
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
82 нс
Серия
StrongIRFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
3.3 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
142 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
7020 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
7.711

Техническая документация

irfp7537pbf Datasheet
pdf, 545 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFP7537PBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.