Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFP7537PBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал ...

IRFP7537PBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 172 А, 0.00275 Ом, TO-247AC, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

930 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 840 руб.

от 100 шт. — 553 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 2 790 руб.

Номенклатурный номер: 8126148902

Артикул: IRFP7537PBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Описание Транзистор полевой IRFP7537PBF от производителя INFINEON обладает высокой мощностью в 230 Вт и предназначен для монтажа THT. Этот N-MOSFET транзистор с корпусом TO247AC способен выдерживать ток стока до 172 А и напряжение сток-исток 60 В, обеспечивая при этом низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0033 Ом. Идеально подходит для сильноточных и высоковольтных применений. Используя IRFP7537PBF, вы получаете надежный компонент для эффективного управления мощностью в различных электронных схемах. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	172
Напряжение сток-исток, В	60
Мощность, Вт	230
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.0033
Корпус	TO247AC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	172 A
Pd - рассеивание мощности	230 W
Qg - заряд затвора	142 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.75 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.7 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	105 ns
Время спада	84 ns
Высота	20.7 mm
Длина	15.87 mm
Другие названия товара №	SP001564970
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	StrongIRFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	190 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	400
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	84 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Ширина	5.31 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	172 A
Maximum Drain Source Resistance	3.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.7V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	230 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Series	StrongIRFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	142 nC @ 10 V
Width	5.31mm
Вес, г	7.71