IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]

Артикул: IRFP90N20DPBF
Ном. номер: 5914233941
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]
Фото 2/5 IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]Фото 3/5 IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]Фото 4/5 IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]Фото 5/5 IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
200 руб. × = 200 руб.
от 5 шт. — 190 руб.
от 50 шт. — 180 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon (IR) MOSFET Transistors, Infineon
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
23
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

IRFP90N20DPBF Datasheet
pdf, 172 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFP90N20DPBF
Datasheet IRFP90N20DPBF
Datasheet IRFP90N20DPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов