Мой регион: Россия

IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]

Ном. номер: 5914233941
Артикул: IRFP90N20DPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/7 IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]
Фото 2/7 IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]Фото 3/7 IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]Фото 4/7 IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]Фото 5/7 IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]Фото 6/7 IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]Фото 7/7 IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]
220 руб.
556 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 210 руб.
от 150 шт. — 208 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
200 руб. 3194 шт. 1 шт. 20 шт.
от 35 шт. — 177 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The IRFP90N20DPBF is a 200V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.

• Low gate to drain charge to reduce switching loss
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Вес, г
7.5

Техническая документация

IRFP90N20DPBF Datasheet
pdf, 172 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFP90N20DPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.