IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
770 руб.
от 15 шт. —
710 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 770 руб.
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 94 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.023 Ом/0.056А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 580 | |
Крутизна характеристики, S | 39 | |
Корпус | TO-247AC | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFP90N20DPBF
pdf, 186 КБ
Datasheet IRFP90N20DPBF
pdf, 179 КБ
Datasheet IRFP90N20DPBF
pdf, 172 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают