IRFPG30PBF, MOSFET N-Channel 1KV 3.1A

PartNumber: IRFPG30PBF
Ном. номер: 8105091034
Производитель: Vishay
IRFPG30PBF, MOSFET N-Channel 1KV 3.1A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
420 руб. × = 420 руб.
от 5 шт. — 240 руб.
от 10 шт. — 191 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, 2A to 4A, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
Dimensions
15.87 x 5.31 x 20.7mm
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
125 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements per Chip
1
Package Type
TO-247AC
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
80 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
980 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
89 ns
Typical Turn-On Delay Time
12 ns
Width
5.31mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
высота
20.7mm
длина
15.87mm
тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IRFPG30PBF Data Sheet IRFPG30PBF