IRFR120ZPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А 26мОм [TO-252-3]

Артикул: IRFR120ZPBF
Ном. номер: 671864986
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRFR120ZPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А 26мОм [TO-252-3]
Фото 2/5 IRFR120ZPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А 26мОм [TO-252-3]Фото 3/5 IRFR120ZPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А 26мОм [TO-252-3]Фото 4/5 IRFR120ZPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А 26мОм [TO-252-3]Фото 5/5 IRFR120ZPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А 26мОм [TO-252-3]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
27 руб. × = 27 руб.
от 50 шт. — 21 руб.
от 75 шт. — 16.30 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFR120ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
190
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRFR120ZPBF Datasheet
pdf, 318 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFR120ZPBF
IRFR120ZPbF AUTOMOTIVE MOSFET Data Sheet IRFR120ZPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов