IRFR220N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1782 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
110 руб.
от 10 шт. —
87 руб.
от 100 шт. —
66.88 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 340 руб.
Номенклатурный номер: 8002025958
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 200V, 5A, TO-252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:5A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):0.6ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Brand | Infineon/IR |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 12 ns |
| Height | 2.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 5 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 43 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 600 mOhms |
| Rise Time | 11 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | Smps Mosfet |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.4 ns |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 6.22 mm |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet IRFU220NPBF
pdf, 230 КБ
IRFR220N Datasheet
pdf, 136 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
