IRFR3708

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

860 руб.

от 2 шт. — 740 руб.

от 5 шт. — 663 руб.

от 10 шт. — 623.75 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 860 руб.

Номенклатурный номер: 8002025969

Электроэлемент

Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 30В, 61А, 87Вт, DPAK

Brand	Infineon/IR
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	2000
Fall Time	3.7 ns
Forward Transconductance - Min	49 S
Height	2.3 mm
Id - Continuous Drain Current	61 A
Length	6.5 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-252-3
Packaging	Cut Tape
Part # Aliases	SP001567140
Pd - Power Dissipation	87 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	24 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	15 mOhms
Rise Time	50 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	Smps MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	17.6 ns
Typical Turn-On Delay Time	7.2 ns
Unit Weight	0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage	12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Width	6.22 mm
Вес, г	0.6

pdf, 220 КБ

Мы рекомендуем