IRFR3710Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
480 руб.
от 2 шт. —
380 руб.
от 5 шт. —
307 руб.
от 10 шт. —
282.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Номенклатурный номер: 8002020077
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 42A, TO-252AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Po
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 42A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2930pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Power Dissipation (Max) | 140W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 33A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
IRFR3710ZPBF Datasheet
pdf, 359 КБ
Datasheet IRFR3710Z, IRFU3710Z, IRFU3710Z-701
pdf, 682 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
