IRFR4615TRLPBF, MOSFET N-Channel HEXFET 1

PartNumber: IRFR4615TRLPBF
Ном. номер: 8066868707
Производитель: International Rectifier
IRFR4615TRLPBF, MOSFET N-Channel HEXFET 1
Доступно на заказ более 40 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
120 × = 1 200
Цена указана за упаковку из 10
Количество товаров должно быть кратно 10 уп.
от 50 уп. — 82 руб.
от 250 уп. — 61.40 руб.

Описание

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, International Rectifier
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Типичное время задержки выключения
25 ns
Количество элементов на ИС
1
Ширина
7.49mm
Максимальное рассеяние мощности
144 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Число контактов
3 + Tab
Прямое напряжение диода
1.3V
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичная входная емкость при Vds
1750 пФ при 50 В
Конфигурация
Single
Типичный заряд затвора при Vgs
26 nC @ 10 V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
N
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
15 ns
Номер канала
Enhancement
Материал транзистора
Кремний
Размеры
6.73 x 7.49 x 2.39мм
Длина
6.73mm
Максимальное напряжение сток-исток
150 V
Тип корпуса
DPAK
Максимальный непрерывный ток стока
33 A
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
42 mΩ
Высота
2.39mm

Дополнительная информация

IRFR4615PbF N-channel HEXFET Power MOSFET IRFR4615TRLPBF