IRFR5305
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
180 руб.
от 10 шт. —
157 руб.
от 100 шт. —
136.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P CH, 55V, 31A, DPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-31A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; Powe
Технические параметры
| Корпус | TO-252-3 | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
| Время | задержки включения/выключения-14/39 нс | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С | |
| Заряд | затвора(Qg)-63 нКл | |
| Максимально допустимое напряжение | сток-исток(Vds max)-55 В; затвор-исток(Vgs)±20 В | |
| Максимальный ток | Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-31 A | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-110 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2 В | |
| Описание | 55V, 31A P-Channel MOSFET | |
| Сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-65 мОм | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | МОП-Транзистор, кремниевый, 1 P-канал | |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet IRFU5305PBF
pdf, 250 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
