Мой регион: Россия

IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK]

Ном. номер: 9000286983
Артикул: IRFR5305TRPBF
Производитель: International Rectifier
Фото 1/8 IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK]
Фото 2/8 IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK]Фото 3/8 IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK]Фото 4/8 IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK]Фото 5/8 IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK]Фото 6/8 IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK]Фото 7/8 IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK]Фото 8/8 IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK]
34 руб.
943 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 29 руб.
от 150 шт. — 28 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
22 руб. 34783 шт. 1 шт. 174 шт.
от 309 шт. — 19.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-4
Вес, г
0.4

Техническая документация

IRFR5305PBF Datasheet
pdf, 244 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFR5305TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.